机构预计HBM4验证将于2026年第二季度完成，高“设备”含量的科创半导体ETF（588170）领涨半导体

截至2026年2月13日 13:31，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨2.02%，成分股富创精密上涨12.68%，耐科装备上涨7.98%，京仪装备上涨7.24%，华兴源创，中巨芯等个股跟涨。科创半导体ETF（588170）上涨1.99%，最新价报1.8元。

截至2026年2月13日 13:32，中证半导体材料设备主题指数强势上涨1.71%，成分股富创精密上涨12.67%，京仪装备上涨7.94%，中巨芯上涨5.87%，华海诚科，珂玛科技等个股跟涨。半导体设备ETF华夏（562590）上涨1.68%，最新价报1.94元。

流动性方面，科创半导体ETF盘中换手7.44%，成交6.18亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手5.12%，成交1.41亿元。

规模方面，科创半导体ETF近1周规模增长2.12亿元，实现显著增长，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达26.98亿元。

资金流入方面，科创半导体ETF近3天获得连续资金净流入，最高单日获得1.17亿元净流入，合计“吸金”1.49亿元，日均净流入达4967.31万元；半导体设备ETF华夏最新资金净流出2095.52万元。拉长时间看，近23个交易日内有15日资金净流入，合计“吸金”9.44亿元，日均净流入达4105.16万元。

消息面上，根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。

银河证券指出，1月存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%-70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。

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