机构：存力+算力量价齐升，半导体设备进入主升阶段，半导体设备ETF（561980）高开上涨1.15%！

AI需求叠加国产替代，2026年开年全球半导体持续走强，上游半导体设备、材料等确定性凸显。1月12日早盘，高“设备”含量——半导体设备ETF（561980）高开上涨1.15%，资金面数据显示近期连续2个交易日获资金净流入近1亿元。

据了解，半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，标的指数年内涨幅超15%，领先主流半导体指数。目前权重股中微公司涨近4%，寒武纪、长川科技涨超3%，北方华创、华海清科跟涨；成份股江化微涨超5%，雅克科技、安集科技、中科飞测等多股张超2%。

国泰海通指出，近期A股成交显著放量并向上突破开启春季行情。其中，由存力+算力量价齐升的半导体设备带动进入主升阶段，后续板块回落至关键均线附近时或可择机加仓。

具体来看：

算力方面，1月6日凌晨，英伟达全新AI芯片架构Vera Rubin亮相，据悉，该平台的核心——Rubin GPU，推理性能达到了上一代Blackwell平台的5倍。开源证券指出，英伟达全新存储架构扩张存储需求，半导体上游国产化持续深化。

存力方面，国际存储巨头一季度延续大幅涨价。根据开源证券，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%。此外，闪迪已向部分下游客户提出了一项被业界称为“前所未闻”的供应合同——要求客户支付100%现金预付款，以锁定未来1至3年的存储芯片配额。

半导体材料端国产替代进程有所推进。1月7日，重要部门发布2026年第2号公告，决定对原产于日本的二氯二氢硅（DCS）发起反倾销立案调查，该产品是芯片制造薄膜沉积等环节的重要电子化学材料。

光大证券指出，AI数据中心推动存储升级，带动半导体材料与电子化学品需求持续提升。由于数据中心和AI处理器对低延迟、高带宽内存解决方案的迫切需求，全球高带宽存储（HBM）的出货量得到快速提升。但HBM制程与封装更复杂、单位比特晶圆面积消耗显著高于传统DRAM，从而抬升相关半导体材料消耗。

根基TECHCET，预计2025年全球半导体材料市场规模约700亿美元，同比增长6%，同时预计2029年半导体材料市场规模将超过870亿美元。国内方面，根据中商产业研究院统计及预测，2025年中国大陆关键材料市场规模达1741亿元，同比增长+21.1%。

该机构还认为，安全博弈升温背景下，国内对关键半导体材料的“供应安全+国产替代”逻辑边际强化，叠加AI算力/数据中心驱动先进制程与HBM放量，行业需求与技术门槛同步上行。在高端材料领域具备技术积累、产能规模，以及与下游晶圆厂客户深度绑定的头部企业，有望在先进制程推进和国产替代趋势下实现份额提升和盈利增长。

据了解，半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，重点布局如中微公司、北方华创、中芯国际、海光信息寒武纪、南大光电等细分龙头，前十大权重股集中度接近80%，设备+材料+芯片设计三行业占比超90%，均为半导体产业链中技术壁垒最高、价值最集中的上/中游领域，国产替代空间广阔。

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